Специалисты Новосибирского государственного университета (НГУ) совершили прорыв в области полупроводниковых технологий, разработав новые материалы, способные значительно превзойти современные флеш-накопители. Данное открытие может привести к созданию более надёжных, долговечных и энергоэффективных запоминающих устройств.

Новая технология Мемристор на основе германо-силикатного стекла

В рамках исследования учёные создали четыре типа плёнок, содержащих различные пропорции оксидов германия и кремния. Эти материалы были протестированы с помощью подачи электрического напряжения и измерения изменений тока при температурах от комнатной до 102°C. На основе полученных данных исследователи построили модели свойств новых образцов, которые показали перспективные характеристики для использования в памяти нового поколения.

Потенциальные преимущества  перед флеш-памятью

Современные технологии хранения данных сталкиваются с рядом ограничений, таких как износ ячеек памяти, высокая энергозатратность и ограниченный ресурс циклов записи. Новые разработки, основанные на мемристорных свойствах германо-силикатного стекла, могут предложить ряд преимуществ:

  • Повышенная надёжность - новые материалы демонстрируют устойчивость к высоким температурам и механическим нагрузкам.
  • Энергоэффективность - снижение энергопотребления в сравнении с традиционной флеш-памятью.
  • Долговечность - увеличенный ресурс записи и перезаписи данных.
  • Компактность - возможность интеграции в миниатюрные устройства без потери производительности.

Перспективы внедрения Мемристора

Разработка новосибирских учёных открывает новые горизонты для создания запоминающих устройств, которые могут найти применение в различных сферах - от персональных компьютеров и серверов до промышленных систем и космической техники. В перспективе такие технологии могут заменить традиционные носители информации, обеспечив более стабильное и долговечное хранение данных.

Пока работы находятся на этапе лабораторных испытаний, однако в ближайшие годы можно ожидать практическую реализацию новых запоминающих устройств, основанных на российских инновационных материалах.